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闭环霍尔电流传感器-WHB-XN15D4、WHB-SY15D4...

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闭环霍尔电流传感器-WHB-XN15D4

XN产品为霍尔闭环原理制成的电流传感器,其自身采用被测母牌封装的形式进行测量和工作,磁路采用了双环路结构,有着体积小,精度高,一致性好的优点,广泛用于变频,伺服等领域;安装结构为PCB安装方式

霍尔效应是霍尔技术应用的理论基础,当通有小电流的半导体薄片置于磁场中时,半导体内的载流子受洛伦兹力的作用发生偏转,使半导体两侧产生电势差,该电势差即为霍尔电压VHVH与磁感应强度B及控制电流IC正比,经过理论推算有式(

1)关系。VH=RH/d)×B×IC1)式中:B为磁感应强度;IC为控制电流;RH为霍尔系数;d为半导体厚度。式(1)中,若保持控制电流IC不变,在一定条件下,可通过测量霍尔电压推算出磁感应强度的大小,由此建立了磁场与电压信号的联系。根据这一关系式,人们研制出了用于测量磁场的半导体器件,即霍尔器件。



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